申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2023-12-08

公开（公告）号：CN117199143A

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.26#实质审查的生效;2023.12.08#公开

摘要：本发明公开一种正多边环形叠加正多边形补偿的元胞的JBS，包括碳化硅外延层，所述碳化硅外延层上离子注入形成有n边形P+注入区，所述n边形P+注入区在所述碳化硅外延层上呈二维阵列排布的叉指状，所述n边形P+注入区为中空环状结构，所述n边形P+注入区中心为碳化硅外延层的空白区，任意相邻并呈三角分布的所述n边形P+注入区的中间离子注入形成有n边形补偿区，所述n边形补偿区形状和大小与所述空白区相同，实现最优化P+注入区间距和面积占比，彻底解决二极管源区部分主要与二极管的反向击穿及正向导通互为矛盾的设计问题，并解决当下P+注入区补偿法造成的面积增大问题。

主权项：1.一种正多边环形叠加正多边形补偿的元胞的JBS，包括碳化硅外延层，所述碳化硅外延层上离子注入形成有n边形P+注入区，所述n边形P+注入区在所述碳化硅外延层上呈二维阵列排布的叉指状，其特征在于，所述n边形P+注入区为中空环状结构，所述n边形P+注入区中心为碳化硅外延层的空白区，任意相邻并呈三角分布的所述n边形P+注入区的中间离子注入形成有n边形补偿区，所述n边形补偿区形状和大小与所述空白区相同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种正多边环形叠加正多边形补偿的元胞的JBS

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