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【发明公布】高迁移率的X-IZO磁控溅射靶材的制备方法与装置_江苏迪纳科精细材料股份有限公司_202311532579.1 

申请/专利权人:江苏迪纳科精细材料股份有限公司

申请日:2023-11-17

公开(公告)日:2023-12-19

公开(公告)号:CN117247273A

主分类号:C04B35/453

分类号:C04B35/453;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645;C23C14/35;B02C15/08;B02C23/16

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.01.05#实质审查的生效;2023.12.19#公开

摘要:一种高迁移率的X‑IZO磁控溅射靶材的制备方法与装置,包括如下步骤:把ZnO的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒一;把稀土金属氧化物的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒二;把In2O3的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒三;把相应重量份数的细粒一、细粒二和细粒三添进黏接剂和活性剂后混合拌匀后取得混合物;把混合物粒化、成形初始品与烧结后最终取得X‑IZO磁控溅射靶材;有效提升了X‑IZO磁控溅射靶材的迁徙率,其不低于34.7cm2V·s;其装置减少了迁移率的X‑IZO磁控溅射靶材的制备方法的流程,更为改善了研磨的高效性之际还改善了研磨的粒径达标量。

主权项:1.一种高迁移率的X-IZO磁控溅射靶材的制备方法,其特征在于,包括:S1,把ZnO的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒一;S2,把稀土金属氧化物的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒二;S3,把In2O3的粗粒送入研磨件中执行研磨而取得细粒三;S4,把相应重量份数的细粒一、细粒二和细粒三添进黏接剂和活性剂后混合拌匀后取得混合物;S5,把混合物粒化、成形初始品与烧结后最终取得X-IZO磁控溅射靶材;把混合物粒化的方法包含:把混合物倒入离心喷雾干燥机内干燥粒化而得粒化物,在干燥粒化期间离心喷雾干燥机的进风温度为180℃;排风温度为90℃~110℃;成形初始品的方法包括:先把粒化物装入模具后,接着送入摩擦压力机初步成形,然后送进冷等静压机内依照3.2兆帕分钟~4.6兆帕分钟的升压速度升压至262兆帕~264兆帕,稳压0.25小时~0.5小时后依照3.2兆帕分钟~4.6兆帕分钟的降压速度执行降压,降压到常压后卸掉模具,以此成形出初始品;烧结的方法包含:把初始品送进烧结炉,温度控制在520℃~610℃执行去胶,接着降温到26℃后,往烧结炉内送进O2且让O2的压强维持为0.4兆帕,升温至1400℃~1580℃执行烧结,取得高迁移率的X-IZO磁控溅射靶材;升温速度是2℃~5℃分钟,升温后的恒温用时保温时间为9小时~13小时。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏迪纳科精细材料股份有限公司 高迁移率的X-IZO磁控溅射靶材的制备方法与装置

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