申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2023-10-18

公开（公告）日：2023-12-22

公开（公告）号：CN117276133A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/02;H01L21/306;B08B3/04;B08B3/12;B08B3/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.09#实质审查的生效;2023.12.22#公开

摘要：本发明涉及一种减少污迹的混酸腐蚀工艺方法，所属硅片清洗加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在清洗槽内采用纯水进行溢流清洗。第二步：在SC1清洗槽内清洗，同时开启超声辅助。第三步：在纯水冲洗槽内进行冲洗，同时开启超声辅助。第四步：在碱腐蚀槽进行碱腐蚀清洗。第五步：完成碱腐蚀槽清洗后进入QDR槽进行清洗。第六步：进入下一个清洗槽，采用HF和H2O2混合液进行清洗。第七步：进行QDR槽清洗。第八步：在酸腐蚀槽进行清洗。第九步：进入纯水冲洗槽冲洗，同时开启超声辅助。第十步：进入QDR槽清洗。第十一步：进行慢提拉槽清洗。第十二步：进入取料槽。在保证平坦度、粗糙度和光泽度的同时，有效减少腐蚀产生的污迹和药残。

主权项：1.一种减少污迹的混酸腐蚀工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：在清洗槽内采用纯水进行溢流清洗；第二步：在SC1清洗槽内，通过NH4OH加入量为2～3L，H2O2加入量为5～6L，清洗槽温度60～80℃，同时开启超声辅助；第三步：在纯水冲洗槽内进行冲洗，纯水流量25～45Lmin，同时开启超声辅助；第四步：在碱腐蚀槽进行碱腐蚀清洗；第五步：完成碱腐蚀槽清洗后进入QDR槽进行清洗，在QDR槽内采用纯水流量20～30Lmin，清洗时间85～95s；第六步：进入下一个清洗槽，采用HF和H2O2混合液进行清洗；第七步：完成HF和H2O2混合清洗后再进行QDR槽清洗，在QDR槽内采用纯水流量20～30Lmin，清洗时间85～95s；第八步：在酸腐蚀槽进行清洗，酸腐蚀采用HF、HNO3和CH3COOH的混合溶液，HF浓度为5～10wt.%，HNO3浓度为32～40wt.%，CH3COOH浓度15～21wt.%；第九步：进入纯水冲洗槽，从酸腐蚀槽进入纯水冲洗槽的转移时间尽量短，小于2s，纯水流量25～45Lmin，同时开启超声辅助；第十步：进入QDR槽清洗，纯水流量30～40Lmin，供水排水回数为2回，清洗时间75～85s；第十一步：进行慢提拉槽清洗，温度在75～85℃之间，清洗时间为75～85s；第十二步：完成慢提拉槽清洗后，进入取料槽。

全文数据：

权利要求：

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