申请/专利权人：东莞市志橙半导体材料有限公司

申请日：2023-07-04

公开（公告）日：2023-12-29

公开（公告）号：CN220265940U

主分类号：C30B25/12

分类号：C30B25/12;C30B25/14;C23C16/458

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.29#授权

摘要：本实用新型提供一种碳化硅石墨基座，其包括基座本体和设置在所述基座本体上的多个用于容纳外延片的口袋，多个口袋以所述基座本体的中心为圆心，均匀设置在所述基座本体上。所述口袋包括从边缘向底部延伸的负角结构，所述负角结构的底部设置环形台阶，所述环形台阶自所述负角结构向所述口袋的外边缘设置，所述口袋还包括多个间隔设置的凸台结构，多个所述凸台结构从所述环形台阶上水平延伸并间隔均匀设置，所述凸台结构用于支撑衬底。本实用新型提供的碳化硅石墨基座有效增强了负角结构处的涂层强度，解决负角结构加工难的问题，减少口袋在使用过程中由于此处缺陷导致的破孔，进而提高了碳化硅石墨基座的使用寿命和使用效率，降低生产成本。

主权项：1.一种碳化硅石墨基座，其特征在于，包括基座本体和设置在所述基座本体上的多个用于容纳外延片的口袋，多个口袋以所述基座本体的中心为圆心，均匀设置在所述基座本体上，所述口袋包括从边缘向底部延伸的负角结构，所述负角结构的底部设置环形台阶，所述环形台阶自所述负角结构向所述口袋的外边缘设置，所述口袋还包括多个间隔设置的凸台结构，多个所述凸台结构从所述环形台阶上水平延伸并间隔均匀设置，所述凸台结构用于支撑衬底。

全文数据：

权利要求：

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