申请/专利权人：吉林大学

申请日：2023-10-31

公开（公告）日：2024-01-05

公开（公告）号：CN117348152A

主分类号：G02B6/12

分类号：G02B6/12;G02B6/122;G02B6/125;G02B6/136

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.23#实质审查的生效;2024.01.05#公开

摘要：一种氮化硅聚合物基无热化AWG与聚合物基VOA阵列混合集成芯片，属于氮化硅聚合物平面光波导混合集成器件及其制备技术领域。由在同一衬底上制备的氮化硅聚合物基无热化AWG、中间连接器波导和聚合物基VOA阵列三部分组成，聚合物基VOA阵列由聚合物基VOA单元按照等间距排布构成，AWG的输出通道波导、中间连接器波导与聚合物基VOA单元的数量相同，输出通道波导通过中间连接器波导与聚合物基VOA单元一一连接；输出通道波导的芯层为氮化硅，中间连接器波导的芯导为氮化硅与聚合物的双芯层结构；当波分解复用器输出通道间功率不平衡时，通过调谐各个聚合物基VOA单元，可以达到实现输出通道功率均衡的功能。

主权项：1.一种氮化硅聚合物基无热化AWG与聚合物基VOA阵列混合集成芯片，其特征在于：由在同一衬底上制备的氮化硅聚合物基无热化AWG、中间连接器波导和聚合物基VOA阵列三部分组成，聚合物基VOA阵列由聚合物基VOA单元按照等间距排布构成，氮化硅聚合物基无热化AWG的输出通道波导、中间连接器波导与聚合物基VOA单元的数量相同，输出通道波导通过中间连接器波导与聚合物基VOA单元一一连接；氮化硅聚合物基无热化AWG的输出通道波导，从下到上依次由硅片衬底1、位于硅片衬底1之上的二氧化硅下包层2、位于二氧化硅下包层2之上的AWG输出通道波导芯层200、位于二氧化硅下包层2和AWG输出通道波导芯层200之上的聚合物上包层5组成，AWG输出通道波导芯层200完全包覆在聚合物上包层5之中；中间连接器波导，从下至上依次由硅片衬底1、二氧化硅下包层2、中间连接器波导芯层201、位于中间连接器波导芯层201与二氧化硅下包层2之上的聚合物上包层5组成，中间连接器波导芯层201被包覆在聚合物上包层5之中；中间连接器波导芯层201由直波导双芯层、锥形Taper波导双芯层、直波导聚合物芯层组成；直波导双芯层和锥形Taper波导双芯层均为聚合物氮化硅双芯层结构，氮化硅芯层3被包覆在聚合物芯层4中，在直波导双芯层内氮化硅芯层3的宽度为W2保持不变，在锥形Taper波导内沿着光信号传输方向，氮化硅芯层3的宽度不断递减；聚合物基VOA单元，从下到上依次由硅片衬底1、位于硅片衬底1之上的二氧化硅下包层2、位于二氧化硅下包层2之上的聚合物芯层4、位于聚合物芯层4与二氧化硅下包层2之上的聚合物上包层5组成，聚合物芯层4被包覆在聚合物上包层5之中；其中聚合物芯层4为MZI结构，由对称设置的相互平行的第一输入波导芯层100和第二输入波导芯层202、S弯曲第一连接波导芯层101和S弯曲第五连接波导芯层203、相互平行的3-dB分束器第一传输臂波导芯层102和3-dB分束器第二传输臂波导芯层204、S弯曲第二连接波导芯层103和S弯曲第六连接波导芯层205、相互平行的参考臂波导芯层104和调制臂波导芯层206、S弯曲第三连接波导芯层106和S弯曲第七连接波导芯层208、相互平行的3-dB合束器第一传输臂波导芯层107和3-dB合束器第二传输臂波导芯层209、S弯曲第四连接波导芯层108和S弯曲第八连接波导芯层210、相互平行的第一输出波导芯层109和第二输出波导芯层211组成；在聚合物上包层5之上，在与参考臂波导芯层104和调制臂波导芯层206对应的位置处制备有相互平行的第一金属电极105和第二金属电极207。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 吉林大学 一种氮化硅/聚合物基无热化AWG与聚合物基VOA阵列混合集成芯片

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