申请/专利权人：深圳市中兴微电子技术有限公司

申请日：2022-06-30

公开（公告）日：2024-01-09

公开（公告）号：CN117368683A

主分类号：G01R31/28

分类号：G01R31/28

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.01.09#公开

摘要：本发明提供一种DVS测试方法、DVS测试平台、电子设备和计算机可读存储介质。所述DVS测试方法，包括：根据被测芯片的额定电压值，确定对所述被测芯片供电的最高电压值，其中，所述最高电圧值高于所述额定电压值；确定升压步长；根据所述升压步长，逐步调高向所述被测芯片提供的测试电压，直至向所述被测芯片提供的测试电压达到所述最高电压值为止；对所述被测芯片执行至少一个DVS测试项。

主权项：1.一种动态电压测试DVS测试方法，包括：根据被测芯片的额定电压值，确定对所述被测芯片供电的最高电压值，其中，所述最高电圧值高于所述额定电压值；确定升压步长；根据所述升压步长，逐步调高向所述被测芯片提供的测试电压，直至向所述被测芯片提供的测试电压达到所述最高电压值为止；对所述被测芯片执行至少一个DVS测试项。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市中兴微电子技术有限公司 DVS测试方法、DVS测试平台、电子设备和介质

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