申请/专利权人：星科金朋私人有限公司

申请日：2023-06-19

公开（公告）日：2024-01-16

公开（公告）号：CN117410248A

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/498;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/48

优先权：["20220713 US 17/812224"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.01.16#公开

摘要：一种半导体器件具有衬底和在所述衬底上方设置的半导体封装。植筋e‑bar衬底被设置在所述衬底上所述半导体封装周围。散热器被形成在所述半导体封装上方且被所述e‑bar衬底支撑，以从所述衬底抬高所述散热器并减小所述散热器的厚度。将热界面材料沉积在所述半导体封装与散热器之间。可替换地，可以在所述半导体封装上方形成且由所述e‑bar衬底支撑屏蔽层。所述e‑bar衬底具有基础层和在所述基础层的第一表面上方形成的第一金属层。将凸块形成在所述第一金属层上方。第二金属层可以处于所述基础层的与所述基础层的第一表面相对的第二表面上方。可以堆叠两个或更多个e‑bar衬底。

主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；半导体封装，被设置在所述衬底上方；植筋e-bar衬底，被设置在所述衬底上所述半导体封装周围；以及散热器，被形成在所述半导体封装上方且被所述e-bar衬底支撑，以从所述衬底抬高所述散热器并减小所述散热器的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 星科金朋私人有限公司 使用e-bar衬底形成薄散热器的半导体器件和方法

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