申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2023-10-31

公开（公告）日：2024-01-16

公开（公告）号：CN117410370A

主分类号：H01L31/109

分类号：H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/18;H01L31/0216

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开

摘要：本发明公开了一种InGaNPdO异质结自供电可见光光电探测器，包括从下到上依次层叠的衬底、缓冲层、InGaN层，PdO层、Al2O3绝缘层、第一电极层和第二电极层；所述第一电极层和第二电极层分别设置在PdO层和InGaN层上；所述InGaN层和PdO层形成InGaNPdO异质结；所述InGaN层的厚度为100～200nm，PdO层厚度为20～60nm。本发明还公开了上述InGaNPdO异质结自供电可见光光电探测器的制备方法。本发明通过引入PdO层构建天然PN结，形成内建电场，实现了载流子的高效分离，提升了器件的响应速度、响应度和自供电特性。

主权项：1.一种InGaNPdO异质结自供电可见光光电探测器，其特征在于，包括从下到上依次层叠的衬底、缓冲层、InGaN层，PdO层、Al2O3绝缘层、第一电极层和第二电极层；所述第一电极层和第二电极层分别设置在PdO层和InGaN层上；所述InGaN层和PdO层形成InGaNPdO异质结；所述InGaN层的厚度为100～200nm，PdO层厚度为20～60nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种InGaN/PdO异质结自供电可见光光电探测器及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD