申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2022-04-08

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114883434B

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/108;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.08.26#实质审查的生效;2022.08.09#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，为自供电MSM型ZnO基紫外光电探测器及制备方法，该探测器包括衬底、n型缓冲层、p型有源层、n型有源层以及两个电极；n型缓冲层沉积在衬底上；p型有源层只覆盖在部分n型缓冲层上，形成n型缓冲层过渡到p型有源层的台阶；n型有源层作为连续的顶层，一部分覆盖在p型有源层上，另一部分覆盖在n型缓冲层上，使两部分n型有源层产生不相等的电子浓度，在台阶处产生分离光生载流子的空间电荷区；两个电极分别分布在台阶两边，两个电极之间的肖特基接触势垒形成的空间电荷区进一步分离光生电子‑空穴对。与现有技术相比，所述器件具有器件结构简单、背入射带通响应、光响应度高、响应速度快以及无需外加偏压的优点。

主权项：1.自供电MSM型ZnO基紫外光电探测器，其特征在于，包括衬底、n型缓冲层、p型有源层、n型有源层以及两个电极；n型缓冲层沉积在衬底上；p型有源层只覆盖在部分n型缓冲层上，形成n型缓冲层过渡到p型有源层的台阶；n型有源层作为连续的顶层，一部分覆盖在p型有源层上，另一部分覆盖在n型缓冲层上，使两部分n型有源层产生不相等的电子浓度，在台阶处产生分离光生载流子的空间电荷区；两个电极分别分布在台阶两边，两个电极之间的肖特基接触势垒形成的空间电荷区进一步分离光生电子-空穴对；所述n型有源层为n型ZnO有源层，p型有源层为p型GaN有源层，n型缓冲层为n型GaN缓冲层；覆盖在p型GaN有源层上的n型ZnO有源层电子浓度低，而覆盖在n型GaN缓冲层上的n型ZnO有源层电子浓度高，产生不对称的ZnO能带；所述紫外光电探测器为通过ZnO作为吸光层的背入式带通紫外探测器。

全文数据：

权利要求：

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