申请/专利权人：西北工业大学

申请日：2021-03-31

公开（公告）日：2024-01-16

公开（公告）号：CN113098240B

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08;H02M1/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.16#授权;2021.07.27#实质审查的生效;2021.07.09#公开

摘要：本发明涉及一种Cascode型GaN功率器件的驱动电路，通过将GaN驱动电路的开通和关断回路分离，在开通和关断回路中分别采用不同容值的开通加速电容和关断加速电容来并联开通栅极电阻和关断栅极电阻，为GaN功率器件提供不同的动态和稳态栅极电流，加速开通和关断过程，减小开通和关断时间，同时减小电压和电流的尖峰和振荡。解决减小GaN功率器件在开关过程中的电压尖峰、电流尖峰、振荡、开通时间和关断时间，满足GaN驱动电路可靠性高、损耗小、开关速度快的要求。本发明能够满足GaN功率器件在高频条件下的性能要求，保证了高的开关速度、低开关损耗，同时能够有效抑制GaN功率器件开通、关断过程中的漏源极的电压与电流尖峰和振荡，保证了GaN功率器件高可靠的工作。

主权项：1.一种Cascode型GaN功率器件的驱动电路，其特征在于包括驱动芯片单元、开通栅极电阻单元、开通加速电容单元、开通二极管D1、关断栅极电阻单元、关断加速电容单元和关断二极管D2；驱动芯片单元的GND连接GaN功率器件的S极，输出极通过两个并联电路即开通控制单元和关断控制单元与GaN功率器件的G极连接；所述开通控制单元是：开通二极管D1连接并联的开通栅极电阻单元和开通加速电容单元；所述关断控制单元是：关断二极管D2连接并联的关断栅极电阻单元和关断加速电容单元；所述开通二极管D1的正极与驱动芯片单元的输出端连接；所述关断二极管D2的正极与GaN功率器件的G极连接；所述开通加速电容单元包含一个或多个电容，加速电容容值选取GaN门极输入电容容值的二分之一；所述关断加速电容单元包含一个或多个电容，关断电容容值选取GaN门极输入电容容值的二倍；所述关断加速电容的容值大于4～5倍的开通加速电容的容值；所述开通电阻的阻值大于2倍的关断电阻的阻值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西北工业大学 一种Cascode型GaN功率器件的驱动电路

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