申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-06-22

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN113506796B

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.23#授权;2021.11.02#实质审查的生效;2021.10.15#公开

摘要：本申请涉及半导体集成电极制造技术领域，具体涉及一种自举高压隔离环结构。基底层，所述基底层包括包围在高压器件区外周的隔离环区，所述隔离环区包括相间隔的电平转换区和自举升压区，所述电平转换区位置处的基底层中形成电平转换器件，所述自举升压区位置处的基底层中形成自举升压器件；所述自举升压器件包括：源极部、漂移部和漏极部，所述漂移部相对的两侧分别连接所述源极部和所述漏极部，所述漏极部连接所述高压器件区；所述源极部位置处的基底层中形成源极结构和自举二极管，所述源极结构位于所述自举二极管中。

主权项：1.一种自举高压隔离环结构，其特征在于，所述自举高压隔离环结构包括：基底层，所述基底层包括包围在高压器件区外周的隔离环区，所述隔离环区包括相间隔的电平转换区和自举升压区，所述电平转换区位置处的基底层中形成电平转换器件，所述自举升压区位置处的基底层中形成自举升压器件；自举升压区为一端开口的半环状，所述自举升压区包围在所述高压器件区的外周，所述电平转换区位于所述自举升压区的开口位置，所述电平转换区的一端与所述高压器件区相邻；所述自举升压器件包括：源极部、漂移部和漏极部，所述漂移部相对的两侧分别连接所述源极部和所述漏极部，所述漏极部连接所述高压器件区；所述源极部位置处的基底层中形成源极结构和自举二极管，所述源极结构位于所述自举二极管中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 自举高压隔离环结构

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