申请/专利权人：西安理工大学

申请日：2023-09-18

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN117460378A

主分类号：H10K71/15

分类号：H10K71/15;H10K71/40;H10K10/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：本发明公开了基于o‑DCB与o‑Ma溶液共混制备OFET薄膜的方法，采用N型晶圆片，将晶圆片进行切割为大小均匀的样片；采用丙酮‑无水乙醇‑去离子水依次对样片进行清洗；以P3HT为溶质，1,2‑二氯苯为溶剂配置有源层溶液；采用有源层溶液对样片进行匀胶，并干燥处理，得到OFET薄膜；采用本发明方法制备的薄膜，厚度为30nm～50nm，所述薄膜的电荷传输效率：0.0059cm2Vs～0.0372cm2Vs，解决了现有技术中存在的共轭聚合物P3HT薄膜多晶态，电荷传输效率较低问题。

主权项：1.基于o-DCB与o-Ma溶液共混制备OFET薄膜的方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、采用N型晶圆片，将晶圆片进行切割为大小均匀的样片；步骤2、采用丙酮-无水乙醇-去离子水依次对样片进行清洗；步骤3、以P3HT为溶质，1,2-二氯苯为溶剂配置有源层溶液；步骤4、采用有源层溶液对样片进行匀胶，并干燥处理，得到OFET薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安理工大学 基于o-DCB与o-Ma溶液共混的薄膜及其制备方法

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