申请/专利权人：南京方膜高科技有限公司

申请日：2022-04-14

公开（公告）日：2024-01-30

公开（公告）号：CN114713048B

主分类号：B01D71/02

分类号：B01D71/02;B01D67/00;B01D53/22

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.30#授权;2022.07.26#实质审查的生效;2022.07.08#公开

摘要：本发明公开了一种原位制备高硅CHA分子筛膜的方法，多孔载体经有机结构导向剂预处理，直接将预处理的多孔载体放入配制的合成溶胶中，微波加热进行晶化反应，通过原位生长法在多孔载体上快速生长一层连续致密的高硅CHA分子筛膜。本发明的原位生长法比二次生长法合成步骤简单，晶化速度快，提高了可重复性和合成效率。所制备的分子筛膜对CO2CH4和CO2N2混合气体具有良好的分离性能，可用于天然气纯化和烟道气碳捕集。

主权项：1.一种原位制备高硅CHA分子筛膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅源、碱源、铝源、有机结构导向剂OSDA和水混合，常温下搅拌老化，所形成的溶胶的摩尔组成为：SiO2:OSDA:AlOH3:NaOH:H2O＝1:0.2～0.8:0.01～0.1:0.1～0.8:15～500；将多孔载体浸渍在OSDA溶液中，干燥后多孔载体表面附着OSDA；将表面附着OSDA的多孔载体置于装有上述溶胶的聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，微波加热在110～220℃下晶化反应5～120min，清洗、干燥后焙烧，得到高硅CHA分子筛膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京方膜高科技有限公司 一种原位制备高硅CHA分子筛膜的方法

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