申请/专利权人：赛普拉斯半导体公司

申请日：2023-08-04

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN117526735A

主分类号：H02M7/217

分类号：H02M7/217;H02M1/00;H02M1/088

优先权：["20220804 US 63/395,188","20230609 US 18/332,600"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.06#公开

摘要：本公开内容提供了非互补有源钳位反激ACF初级场效应晶体管FET控制。在示例实施例中，一种方法包括：由初级侧控制通用串行总线电力输送USB‑PD交流到直流AC‑DC转换器来识别第一脉冲，其中，从脉冲变压器接收第一脉冲。该方法还包括确定满足阈值持续时间。响应于确定满足阈值持续时间，该方法包括识别第二脉冲，其中，从脉冲变压器接收第二脉冲。第一脉冲和第二脉冲用于控制高侧场效应晶体管FET和低侧FET，其中，高侧FET耦合到有源钳位反激ACF电路，并且低侧FET耦合到USB‑PDAC‑DC转换器的反激变压器。响应于识别第二脉冲，该方法还包括控制高侧FET或低侧FET的操作。

主权项：1.一种方法，包括：由初级侧控制通用串行总线电力输送USB-PD交流到直流AC-DC转换器来识别第一脉冲，其中，从脉冲变压器接收所述第一脉冲；确定满足阈值持续时间；响应于确定满足所述阈值持续时间，识别第二脉冲，其中，从所述脉冲变压器接收所述第二脉冲；其中，所述第一脉冲和所述第二脉冲用于控制高侧场效应晶体管FET和低侧FET，其中，所述高侧FET耦合到所述USB-PDAC-DC转换器的有源钳位反激ACF电路，并且其中，所述低侧FET耦合到所述USB-PDAC-DC转换器的反激变压器；以及响应于识别所述第二脉冲，控制所述高侧FET或所述低侧FET的操作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 赛普拉斯半导体公司 非互补有源钳位反激（ACF）初级场效应晶体管（FET）控制

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