申请/专利权人：杭州永磁集团有限公司

申请日：2022-04-27

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN115036122B

主分类号：H01F41/02

分类号：H01F41/02;C22C1/02;G01R33/12;G01N21/84

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.06#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.09.09#公开

摘要：本发明公开了一种超低剩磁温度系数的钐钴磁体制备系统及试样方法，包括隔离架，所述隔离架的内部靠近上端处设置有碎料筒，所述碎料筒的底端表面固定安装有底撑架，所述底撑架的底端表面固定安装送料架，所述隔离架的一端表面靠近中部处固定安装有处理箱。本发明所述的一种超低剩磁温度系数的钐钴磁体制备系统及试样方法，此制备系统中所包括的装置可设置在真空环境中进行制备流程，不需要人工干预处理，装置运行稳定，生成成品稳定性高，退磁率低，且利用处理箱组件结构，可对钐钴磁体进行高密度和均匀性的压制。

主权项：1.一种超低剩磁温度系数的钐钴磁体制备系统，包括隔离架（1），其特征在于：所述隔离架（1）的内部靠近上端处设置有碎料筒（2），所述碎料筒（2）的底端表面固定安装有底撑架（3），所述底撑架（3）的底端表面固定安装送料架（4），所述隔离架（1）的一端表面靠近中部处固定安装有处理箱（5）；所述处理箱（5）的上端表面靠近一端边缘处固定安装有对接管（501），所述处理箱（5）的一端表面靠近上端边缘处开设有处理槽，所述处理槽的一端表面位于两侧边缘处对称固定安装有防护窗（502），所述处理箱（5）的内侧表面靠近上下两端边缘处对称固定安装有横置板（503），所述横置板（503）的上端表面位于两侧边缘处对称固定安装有横支架（5031），所述横置板（503）的表面靠近中部处嵌入连接有对接杆（5032），所述对接杆（5032）的数量设置为四根，所述对接杆（5032）的底端表面固定安装有底架（5033），所述底架（5033）的底端表面固定安装有冲压头（5034），所述横置板（503）的上端表面位于中部处固定安装有冲压气缸（5035），所述处理槽的两侧表面对称固定安装有连接箱（504），所述连接箱（504）的表面靠近上端边缘处固定安装有第一磁板（505）；所述第一磁板（505）的表面位于边缘处固定连接有第二磁板（5051），所述第一磁板（505）的外侧表面靠近上端处固定安装有送粉管（5052），所述第一磁板（505）的底端表面固定安装有模具（5053）；所述碎料筒（2）的上端表面固定安装有进料斗（201），所述碎料筒（2）的底端表面固定安装有下料管（202），所述碎料筒（2）的表面靠近中部处固定安装有封闭栓（203），所述碎料筒（2）的一侧表面位于中部处固定安装有联轴架（204），所述碎料筒（2）的一侧位于联轴架（204）的另一端固定安装有联轴器（205），所述联轴器（205）的另一端表面固定安装有第一电机（206）；所述送料架（4）的一端表面靠近上端边缘处固定安装有出料管（401），所述送料架（4）的另一端表面靠近上端边缘处固定安装有鼓风机（402），所述送料架（4）的一侧表面靠近底端边缘处固定安装有第二电机（403），所述送料架（4）的另一端表面靠近底端边缘处固定安装有导料槽（404），所述导料槽（404）的另一端表面固定安装有对接斗（405）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州永磁集团有限公司 一种超低剩磁温度系数的钐钴磁体制备系统及试样方法

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