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【发明公布】一种阻挫磁性材料及其制备方法_中国科学院物理研究所_202311601801.9 

申请/专利权人:中国科学院物理研究所

申请日:2023-11-28

公开(公告)日:2024-02-13

公开(公告)号:CN117550644A

主分类号:C01G45/12

分类号:C01G45/12;C01G45/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开

摘要:本发明涉及一种阻挫磁性材料,所述的阻挫磁性材料的分子式为Pb2MnMoO6。本发明属于凝聚态物理技术领域,解决了现有技术中双钙钛矿结构的阻挫磁性材料阻挫系数普遍偏低的问题。本发明所述的阻挫磁性材料分子式为Pb2MnMoO6,属于B位有序双钙钛矿材料,所述的阻挫磁性材料呈现畸变钙钛矿晶体构型;磁化率测试显示,直到温度降低至2K都没有出现长程磁有序TN2K。通过对磁化率‑温度曲线进行居里‑外斯拟合,获得的居里‑外斯温度为θcw=‑25K,由此可得该材料的阻挫系数f12.5,以上结果表明高温高压极端条件制备的新型B位有序双钙钛矿材料Pb2MnMoO6是一种强阻挫材料。

主权项:1.一种阻挫磁性材料,其特征在于,所述的阻挫磁性材料的分子式为Pb2MnMoO6。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院物理研究所 一种阻挫磁性材料及其制备方法

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