申请/专利权人：苏州焜原光电有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-02-13

公开（公告）号：CN117558644A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开

摘要：本发明提供了一种标定InGaxAsInAsSby超晶格组分的方法，通过生长两套周期不同的InGaxAsInAsSby超晶格和两套周期不同的InGaAsInAsSbInAs超晶格得到InAs和GaAs的生长速率以及元素组分。其中，上述超晶格材料中的各层材料均处于完全应变状态，无需考虑弛豫度数值，由此能够彻底避免材料弛豫度对标定结果精确程度的影响，使得到的结果准确可靠，相比于现有测试技术来说，本发明具有操作简单、精度高、准确性好等显著优势。

主权项：1.标定InGaxAsInAsSby超晶格组分的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、生长第一套InGaxAsInAsSby超晶格，其周期厚度为P1，生长第二套InGaxAsInAsSby超晶格，其周期厚度为P2，其中P1≠P2，且两套所述InGaxAsInAsSby均处于完全应变状态，分别得到InGaxAs在应变状态下的生长速率V1以及InAsSby在应变状态下的生长速率V2，同时测量第一套InGaxAsInAsSby超晶格在应变状态下的平均晶格常数L1及所述第二套InGaxAsInAsSby超晶格在应变状态下的平均晶格常数L2；S2、基于V1、V2、L1、L2、P1以及P2计算所述InGaxAs在完全应变状态下的晶格常数LRInGaxAs及所述InAsSby在完全应变状态下的晶格常数LRInAsSby;S3、根据S2结果，计算所述InGaxAs在完全弛豫状态下的晶格常数LSInGaxAs及所述InAsSby在完全弛豫状态下的晶格常数LSInAsSby；S4、基于LSInGaxAs及LSInAsSby计算Ga元素组分x、Sb组分y、In组分1-x以及As组分1-y，由此实现InGaxAsInAsSby复合超晶格中的元素组分标定。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州焜原光电有限公司 标定InGa_xAs/InAsSb_y超晶格组分的方法

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