申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2020-11-24

公开（公告）日：2024-02-13

公开（公告）号：CN112490242B

主分类号：H01L27/082

分类号：H01L27/082;H01L29/739

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.13#授权;2021.03.30#实质审查的生效;2021.03.12#公开

摘要：本发明公开了一种基于N型InAs‑GaSbP型Ge‑Si结构的反相器及其制备方法，反相器包括：第一Si层；位于第一Si层上的氧化层；分别位于氧化层上的P型Ge‑Si结构和N型InAs‑GaSb结构；在P型Ge‑Si结构上沉积有第一栅电极、第一源电极、第一漏电极，在N型InAs‑GaSb结构上沉积有第二栅电极、第二源电极、第二漏电极；第一栅电极、第一源电极、第一漏电极分别与第二栅电极、第二源电极、第二漏电极以预设连接规则连接；其中，P型Ge‑Si结构包括：位于氧化层上的第二Si层；位于第二Si层上的P型Ge层；其中，N型InAs‑GaSb结构包括：位于氧化层上的N型GaSb层；位于N型GaSb层上的N型InAs层。本发明N型InAs‑GaSb与P型Ge‑Si结构均为平面结构，有利于集成并与传统CMOS工艺兼容，减少了工艺复杂度，具有更大的应用前景。

主权项：1.一种基于N型InAs-GaSbP型Ge-Si结构的反相器，其特征在于，包括：第一Si层1；位于所述第一Si层1上的氧化层2；分别位于所述氧化层2上的P型Ge-Si结构和N型InAs-GaSb结构；在所述P型Ge-Si结构上沉积有第一栅电极81、第一源电极101、第一漏电极91；在所述N型InAs-GaSb结构上沉积有第二栅电极82、第二源电极102、第二漏电极92；所述第一栅电极81、所述第一源电极101、所述第一漏电极91分别与所述第二栅电极82、所述第二源电极102、所述第二漏电极92以预设连接规则连接，以构成基于N型InAs-GaSbP型Ge-Si结构的反相器；其中，所述P型Ge-Si结构包括：位于所述氧化层2上的第二Si层3，在所述第二Si层3内形成有第一源区31、第一漏区32；位于所述第二Si层3上的P型Ge层4，其中，所述P型Ge层4上生长有第一栅介质层71，在所述第一栅介质层71上沉积有第一栅电极81，在所述P型Ge层4上沉积有所述第一漏电极91，在所述第二Si层3上沉积有所述第一源电极101；其中，所述N型InAs-GaSb结构包括：位于所述氧化层2上的N型GaSb层5，在所述N型GaSb层5内形成有第二源区51、第二漏区52；位于所述N型GaSb层5上的N型InAs层6，其中，所述N型InAs层6上生长有第二栅介质层72，在所述第二栅介质层72上沉积有所述第二栅电极82，在所述N型InAs层6上沉积有所述第二漏电极92，在所述N型GaSb层5上沉积于所述第二源电极102。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 基于N型InAs-GaSb/P型Ge-Si结构的反相器及其制备方法

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