申请/专利权人：浙江大学

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117639717A

主分类号：H03H9/24

分类号：H03H9/24;H03H3/007;H03H9/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开了一种基于VO2的频率可调MEMS方形谐振器、其生产方法和调频方法，属于通信电子器件领域。本发明在基板层上沉积并刻蚀出双端固支平板层，在双端固支平板层中央刻蚀有方形平板；在双端固支平板层上围绕方形平板刻蚀出内部电极，在内部电极两侧，围绕内部电极四周刻蚀出外部电极的输入电极和输出电极，得到驱动电极层；在驱动电极层上沉积并刻蚀出绝缘层；在绝缘层上设置加热电阻层；在加热电阻层上沉积覆盖方形平板的VO2薄膜层，最终得到谐振器。通过在内部驱动电极与外部驱动电极之间施加驱动电压，且对加热电阻层加载电流至VO2薄膜层达到预定温度，来实现对谐振频率的调节。本发明在不改变谐振器结构的情况下，实现了对谐振频率的调节。

主权项：1.一种基于VO2的频率可调MEMS方形谐振器，其特征在于，包括依次堆叠的基板层、双端固支平板层、驱动电极层、绝缘层、加热电阻层和VO2薄膜层；所述双端固支平板层中央设置方形平板；所述驱动电极层包括内部电极和外部电极，所述内部电极围绕所述方形平板，所述外部电极围绕所述内部电极的四周，所述外部电极包括输入电极和输出电极；所述绝缘层隔绝所述驱动电极层与所述加热电阻层的电气短路；所述加热电阻层的加热区域至少覆盖所述方形平板区域；所述VO2薄膜层至少覆盖所述方形平板区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 基于VO2的频率可调MEMS方形谐振器、其生产方法和调频方法

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