申请/专利权人：安徽光智科技有限公司

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117623215A

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：一种改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法包括步骤：S1，提供晶圆；S2，在晶圆的表面上沉积微桥结构的下保护层；S3，在下保护层的表面形成微桥结构的电介质层；S4，在电介质层的表面上沉积形成微桥结构的上保护层；S5，在上保护层的表面上旋涂DUV光刻胶；S6，使用步进扫描式光刻机，采用同一块掩膜版分区域曝光的模式形成上层微桥结构的二维阵列的单元区域中的各单元区域的光刻图案，分区域曝光基于二维图案阵列的单元区域在晶圆上所处的位置来划分，各单元区域内的光刻图案内具有上层微桥结构的关键尺寸。由此，能够灵活有效地控制和调整晶圆整个面上的全部单元区域内的上层微桥结构的关键尺寸的均匀性。

主权项：1.一种改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，包括步骤：S1，提供晶圆；S2，在晶圆的表面上沉积微桥结构的下保护层；S3，在下保护层的表面形成微桥结构的电介质层；S4，在电介质层的表面上沉积形成微桥结构的上保护层；S5，在上保护层的表面上旋涂DUV光刻胶；S6，使用步进扫描式光刻机，采用同一块掩膜版分区域曝光的模式形成上层微桥结构的二维阵列的单元区域中的各单元区域的光刻图案，分区域曝光基于二维图案阵列的单元区域在晶圆上所处的位置来划分，各单元区域内的光刻图案内具有上层微桥结构的关键尺寸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽光智科技有限公司 改善晶圆上层微桥结构关键尺寸均匀性的方法

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