申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2023-11-27

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117626440A

主分类号：C30B29/48

分类号：C30B29/48;C30B11/00;C30B33/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开了一种碲锌镉单晶结晶潜热释放装置与生长方法，属于半导体材料制备领域。该装置包括晶体生长炉、石英安瓿瓶、石英坩埚、可控冷却装置和支撑容器；其中，晶体生长炉分为高温区和低温区；支撑容器上方放置有可控冷却装置、内部填充导热粉末；石英安瓿瓶与其内部的石英坩埚构成双层真空石英结构，并插入导热粉末中；支撑容器在旋转下降装置的带动下在晶体生长炉内上下移动并旋转。同时，本发明还基于该装置提供了碲锌镉单晶生长方法。本发明实现了无籽晶条件下晶体生长，有效避免了再次装料带来的污染；结晶时释放的结晶潜热能够被有效快速地释放，并且保证了熔体单晶生长的温场稳定性，获得的晶锭组分均匀、孪晶少、碲沉淀或夹杂少。

主权项：1.一种碲锌镉单晶结晶潜热释放装置，其特征在于，包括晶体生长炉、支撑容器、石英安瓿瓶、石英坩埚、固定环、托杆、可控冷却装置、旋转下降装置；其中，所述晶体生长炉为内部中空的圆桶结构，其上部区域为高温区，下部区域为低温区；所述支撑容器位于所述晶体生长炉内部，所述支撑容器内填充有导热粉末；所述石英安瓿瓶由圆柱部分和锥形部分连接构成，且锥形部分竖直插入导热粉末中；所述可控冷却装置放置于所述支撑容器上方，并环绕石英安瓿瓶设置；所述石英坩埚位于石英安瓿瓶内部，由依次连接的竖直部与圆弧部构成；所述竖直部和所述圆弧部内部中空，用于放置原料；所述固定环放置于石英坩埚的竖直部与石英安瓿瓶的圆柱部分之间，使石英坩埚的底部不低于导热粉末的上表面；所述旋转下降装置位于晶体生长炉正下方；所述托杆的一端连接旋转下降装置，另一端伸入晶体生长炉连接支撑容器底部；所述旋转下降装置通过托杆带动石英坩埚在晶体生长炉炉内上下移动和旋转。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种碲锌镉单晶结晶潜热释放装置与生长方法

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