申请/专利权人：贺州学院

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117637347A

主分类号：H01G4/33

分类号：H01G4/33;H01G4/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：一种宽温区高储能效率PZT‑BFO铁电薄膜材料的制备方法，属于电子功能材料与器件领域。本发明是将PZT‑BFO前驱体溶液旋涂于衬底上制得PZT‑BFO湿膜；所得湿膜干燥、热解、退火制得单层PZT‑BFO薄膜；重复前两个步骤，制得多层PZT‑BFO薄膜。本发明的有益效果是获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、储能密度值大、储能效率高和热稳定性良好等优点的薄膜。

主权项：1.一种宽温区高储能效率PZT-BFO铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1将PZT-BFO前驱体溶液旋涂于衬底上制得PZT-BFO湿膜；2将步骤1所得湿膜干燥、热解、退火制得单层PZT-BFO薄膜；3重复步骤1和步骤2，制得多层PZT-BFO薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 贺州学院 一种宽温区高储能效率PZT-BFO铁电薄膜材料的制备方法

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