申请/专利权人：山东大学

申请日：2022-05-07

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN114875490B

主分类号：C30B29/28

分类号：C30B29/28;C30B27/02;G02F1/09

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.01#授权;2022.08.26#实质审查的生效;2022.08.09#公开

摘要：本发明涉及一种高铝铽铝镓石榴石磁光晶体及其制备方法与应用。该晶体分子通式为Tb3AlxGa5‑xO12,1.75≤x5，简写为TAGG，晶体属于石榴石结构。本发明的高铝TAGG磁光晶体用熔体法进行生长，采用“二次下种”技术，生长得到大尺寸、高质量单晶，而且在磁光、热学、光学等性能方面都优于TGG晶体，可以用于制作高效磁光器件。

主权项：1.一种高铝铽铝镓石榴石晶体的制备方法，其特征在于，该晶体的分子式为Tb3AlxGa5-xO12,3≤x≤3.75；用熔体提拉法进行生长，先是将高铝铽铝镓石榴石晶体籽晶静置于熔体中，诱导熔体全部转变成石榴石纯相，然后将籽晶提脱熔体液面，接着进行二次下种，开始晶体生长；提拉速度0.1-5mmh，转速1-50rpm，晶体生长至所需尺寸时，提脱晶体，以5-100℃h的降温速率降至室温。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 一种高铝铽铝镓石榴石磁光晶体及其制备方法与应用

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