申请/专利权人：中国科学技术大学

申请日：2024-03-25

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN118016727A

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L21/34;H01L29/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要：本发明公开一种氧化镓二极管的钝化结构，包括氧化镓衬底层、氧化镓外延层、阴极电极、阳极电极以及P型半导体一。氧化镓外延层为凸起状结构，且其下底面生长于氧化镓衬底层的一侧上。氧化镓外延层设有侧面和端面，侧面的一端与氧化镓外延层的上底面相交，侧面的另一端与端面相交。阴极电极生长于氧化镓衬底层远离氧化镓外延层的一侧上。阳极电极生长于氧化镓外延层的上底面上。P型半导体一包裹于侧面外，且P型半导体一的一端朝着阳极电极延伸，一直延伸至覆盖部分阳极电极并与阳极电极连接，P型半导体一的另一端沿着端面向外延伸。本发明通过设置P型半导体一，能够有效的对氧化镓二极管进行钝化，提高钝化后氧化镓二极管的性能和稳定性。

主权项：1.一种氧化镓二极管的钝化结构，其特征在于，其包括氧化镓衬底层1，氧化镓外延层2，其为凸起状结构，且其下底面生长于所述氧化镓衬底层1的一侧上，所述氧化镓外延层2设有侧面21和端面22，所述侧面21的一端与所述氧化镓外延层2的上底面相交，所述侧面21的另一端与所述端面22相交；阴极电极3，其生长于所述氧化镓衬底层1远离所述氧化镓外延层2的一侧上；阳极电极4，其生长于所述氧化镓外延层2的上底面上；P型半导体一5，其包裹于所述侧面21外，且所述P型半导体一5的一端朝着所述阳极电极4延伸，一直延伸至覆盖所述阳极电极4并与所述阳极电极4连接，所述P型半导体一5与所述阳极电极4连接形成等势体；所述P型半导体一5的另一端沿着所述端面22向外延伸，所述P型半导体一5得以将所述侧面21的电场沿着所述端面22向外拓展；所述P型半导体一5与所述氧化镓外延层2之间形成PN结，用于耗尽所述侧面21以及所述端面22产生的电荷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学技术大学 一种氧化镓二极管的钝化结构及其制备方法

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