申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司

申请日：2024-04-16

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN118053930A

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01L21/225;H01L21/268;H01L31/068;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要：本发明属于联合钝化背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定重掺杂区域的联合钝化背接触电池及制备和应用，包括第一半导体层和第二半导体层，N型掺杂多晶硅层上具有重掺杂区域，重掺杂区域位于第一半导体开口区的内侧并覆盖第一半导体开口区所在位置区域，且重掺杂区域的宽度W1大于第一半导体开口区的宽度W2，重掺杂区域的深度与本征非晶硅层的厚度、隧穿氧化层的厚度的比为20‑100：3‑8：1；且轻掺杂区域与重掺杂区域、P型掺杂硅层的面掺杂指数之比为1：10‑90：10‑100。本发明能够改善电池的串联电阻，降低发射极接触电阻和发射区暗饱和电流，提升填充因子、短路电流和开路电压，从而提高电池转换效率。

主权项：1.一种具有特定重掺杂区域的联合钝化背接触电池，包括具有正面和背面的硅片，在硅片背面交替排布的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的第一半导体层的部分背面外，并在第一半导体层的背面留有不覆盖第二半导体层的第一半导体开口区，相邻的第一半导体层之间形成第二半导体开口区，第二半导体开口区与第一半导体开口区间隔排列，其中，第一半导体层包含沿硅片向外依次设置的隧穿氧化层与N型掺杂多晶硅层，第二半导体层包含沿硅片向外依次设置的本征非晶硅层与P型掺杂硅层，其特征在于，所述N型掺杂多晶硅层上具有重掺杂区域，所述重掺杂区域位于第一半导体开口区的内侧并覆盖第一半导体开口区所在位置区域，且重掺杂区域的宽度W1大于第一半导体开口区的宽度W2，重掺杂区域的宽度W1为N型掺杂多晶硅层宽度的20%-50%；重掺杂区域的宽度方向外边缘与对应第一半导体层的相邻外边缘之间的部分N型掺杂多晶硅层为轻掺杂区域，所述重掺杂区域的深度为所述轻掺杂区域厚度的25%-90%，所述重掺杂区域的深度与所述本征非晶硅层的厚度、所述隧穿氧化层的厚度的比为20-100：3-8：1；且轻掺杂区域与重掺杂区域、P型掺杂硅层的面掺杂指数之比为1：10-90：10-100，其中，面掺杂指数是指对应掺杂区域或掺杂层的有效掺杂浓度与其厚度之比。

全文数据：

权利要求：

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