申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2022-08-23

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN115341276B

主分类号：C30B25/18

分类号：C30B25/18;C30B29/16;C30B25/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.01#授权;2022.12.02#实质审查的生效;2022.11.15#公开

摘要：本发明提供了一种r‑GeO2薄膜单晶的生长方法，包括：AGe和GeO2反应，得到气态GeO；B在含有氧气的氛围下，将所述气态GeO沉积在预处理的r‑TiO2衬底上，加热生长，即得。本发明通过加热Ge和GeO2的混合物，使之反应生成GeO，再对其进行氧化生成GeO2的生长方式，具有生长条件易控、生长速率高以及晶体质量高等优势，拥有非常广泛的研究和应用场景。

主权项：1.一种r-GeO2薄膜单晶的生长方法，其特征在于，包括：A）Ge和GeO2反应，得到气态GeO；所述Ge和GeO2的摩尔比为1:（1~1.4）；所述反应温度为500~700℃；所述气态GeO的分子束束流为1×1012到1×1015个cm2；B）在含有氧气的氛围下，将所述气态GeO氧化后沉积在预处理的衬底上，加热生长，即得；所述含有氧气的氛围为氧气和臭氧的混合气或氧等离子体；所述加热生长的温度为350~750℃；所述混合气中，臭氧的体积分数为10~20%，氧气的体积分数为80~90%；气压为1×10-7~1×10-5Torr；所述衬底为r-TiO2衬底；所述r-TiO2晶体的晶格常数为a=4.5937Å,c=2.9587Å。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种r-GeO₂薄膜单晶及其生长方法

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