申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2023-06-05

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN220553081U

主分类号：G03F1/84

分类号：G03F1/84

优先权：["20220630 US 63/357,531","20221201 US 63/429,417","20230104 US 18/093,106"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.01#授权

摘要：极紫外辐射EUV光化掩模复查系统，包括：掩模台，配置为安装相关联的EUV掩模；EUV照明器，布置成将EUV光传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模，所述EUV照明器包括EUV光整形孔，所述EUV光整形孔包括板且所述板具有穿过其中的穿孔；EUV成像传感器；投影光学元件盒，配置为将由安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模反射的所述EUV光的至少一部分投影到所述EUV成像传感器上；以及真空腔室，包含所述EUV照明器、所述掩模台、所述EUV成像传感器和所述投影光学元件盒。

主权项：1.一种极紫外辐射EUV光化掩模复查系统，其特征在于，包括：掩模台，配置为安装相关联的EUV掩模；EUV照明器，布置成将EUV光传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模上；EUV成像传感器；投影光学元件盒，配置为将由安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模反射的所述EUV光的至少一部分投影到所述EUV成像传感器上；以及真空腔室，包含所述EUV照明器、所述掩模台、所述EUV成像传感器和所述投影光学元件盒；其中所述投影光学元件盒包括：凹面镜，具有中心开口；凸面镜，朝向所述凹面镜；以及孔，介于所述凹面镜与所述凸面镜之间，所述孔具有开口，所述开口的尺寸和位置使得从所述EUV掩模反射的EUV光以至少8度的主射线角度通过，且还使从所述凸面镜反射的EUV光通过所述凹面镜的所述中心开口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 用于极紫外辐射光化掩模复查的系统

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