申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2023-12-05

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117672318A

主分类号：G11C16/26

分类号：G11C16/26;G11C16/34

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明提供一种基于导电桥阈值开关型选通管的动态存储单元及其操作方法，包括导电桥阈值开关型选通管和存储电容；所述导电桥阈值开关型选通管的第一端与存储电容的第一端相连，所述导电桥阈值开关型选通管的第二端为所述动态存储单元的输入端，所述存储电容的第二端为所述动态存储单元的输出端；本发明的导电桥阈值开关型选通管的漏电流较小，即导电桥阈值开关型选通管的关闭电阻较大，从而使存储电容放电时间变长，即提升存储电容的数据存储时间，因此可以使得利用选通管构成的动态存储结构的数据保持时间大大增加，从而减少刷新操作，并延长其使用寿命。

主权项：1.一种基于导电桥阈值开关型选通管的动态存储单元，其特征在于，包括导电桥阈值开关型选通管和存储电容；所述导电桥阈值开关型选通管的第一端与存储电容的第一端相连，所述导电桥阈值开关型选通管的第二端为所述动态存储单元的输入端，所述存储电容的第二端为所述动态存储单元的输出端；所述导电桥阈值开关型选通管的工作状态包括高阻态和低阻态两种状态；所述导电桥阈值开关型选通管用于：当所述输入端施加的正向写入电压大于所述导电桥阈值开关型选通管的正向阈值电压时，所述导电桥阈值开关型选通管由高阻态切换为低阻态向所述存储电容充电，当所述导电桥阈值开关型选通管的两端电压小于所述导电桥阈值开关型选通管的正向保持电压时，所述导电桥阈值开关型选通管由低阻态切换为高阻态，所述存储电容基于所述导电桥阈值开关型选通管重新切换的高阻态延长放电时间；在所述导电桥阈值开关型选通管打开后的目标时间内，当所述输入端施加的反向写入电压大于所述导电桥阈值开关型选通管的反向阈值电压时，所述导电桥阈值开关型选通管由高阻态切换为低阻态实现反向导通以向所述存储电容充负电；当所述反向写入电压小于所述导电桥阈值开关型选通管的反向保持电压时，所述导电桥阈值开关型选通管由低阻态切换为高阻态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 导电桥阈值开关型选通管的动态存储单元及其操作方法

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