申请/专利权人：西北工业大学

申请日：2023-11-10

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117658655A

主分类号：C04B35/80

分类号：C04B35/80;C04B35/10;C04B35/622

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种SiCPyC纳米线增强Al2O3耐高温吸波陶瓷，由Al2O3多孔陶瓷基体、石墨烯界面及SiCPyC纳米线构成，采用Al2O3多孔陶瓷为基体，通过在其骨架沉积石墨烯界面及SiCPyC纳米线形成多孔结构型吸波材料，具有轻质高强的特点，能够在高温环境下稳定服役，实现高温吸波的特性应用，且石墨烯界面及SiCPyC纳米线的引入，优化了复合材料的电磁参数，能够获得较好的阻抗匹配和衰减系数，从而获得优异的吸波性能。另外，使用Al2O3多孔陶瓷提供多孔结构，通过化学气相沉积法引入石墨烯界面及SiCPyC纳米线，界面结合力强，化学纯度高，且制备工艺重复性较好，可为三维结构复合吸波材料的大规模生产提供新思路。

主权项：1.一种SiCPyC纳米线增强Al2O3耐高温吸波陶瓷，由Al2O3多孔陶瓷基体、石墨烯界面及SiCPyC纳米线构成，其特征在于Al2O3多孔陶瓷基体为开孔连续结构，体积密度为3.2～4.0gcm3，平均孔径为5～20μm，孔隙率为90～95％；石墨烯界面通过真空化学气相沉积方法在Al2O3多孔陶瓷基体骨架表面制得，反应源气体为甲烷、氢气和氩气，气体流量比为40～60:80～120:750～850sccm，沉积时间为1～2h，石墨烯界面厚度为5～10nm，为非连续间断结构；SiCPyC纳米线通过化学气相渗透方法在Al2O3多孔陶瓷基体孔隙制得，反应源气体为三氯甲基硅烷、氢气和氩气，气体流量比为5～10:50～100:50～100sccm，沉积时间为4～8h，SiC纳米线在Al2O3多孔陶瓷基体孔隙内形成非连续桥联结构，直径为20～50nm，PyC涂层在SiC纳米线表面均匀包覆，形成核壳结构，反应源气体为丙烯和氩气，气体流量比为50～100:150～250sccm，沉积时间为4～8h，PyC涂层厚度为5～10nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西北工业大学 一种SiC/PyC纳米线增强Al₂O₃耐高温吸波陶瓷及其制备方法

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