申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2023-11-27

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712087A

主分类号：H01L23/525

分类号：H01L23/525;H01L21/56;H01L23/29

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明提供一种改善Efuse均匀性的方法，晶圆上包含有用于形成Efuse阳极的阳极结构和用于形成efuse阴极的阴极结构；阴极结构覆盖有氧化层以及形成在氧化层上的SiN层；在晶圆上旋涂光刻胶，并进行曝光和显影；其中阴极结构的区域不被显影；对晶圆进行SAB刻蚀，其中由于阴极结构的区域被光刻胶覆盖不进行刻蚀；去除所述阴极结构上的光刻胶，之后对晶圆SAB刻蚀后的区域进行氧化层的去除；在阳极结构上形成金属硅化物。本发明利用现有工艺SAB氮化硅保护Efuse阴极，使阴极在后续工艺过程中中形成无金属硅化物结构，从而显著改善Efuse编程后电阻值的均匀性，大大提升Efuse的良率。

主权项：1.一种改善Efuse均匀性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供晶圆，所述晶圆上包含有用于形成Efuse阳极的阳极结构和用于形成efuse阴极的阴极结构；所述阴极结构覆盖有氧化层以及形成在所述氧化层上的SiN层；步骤二、在所述晶圆上旋涂光刻胶，并进行曝光和显影；其中所述阴极结构的区域不被显影；步骤三、对所述晶圆进行SAB刻蚀，其中由于所述阴极结构的区域被光刻胶覆盖不进行刻蚀；步骤四、去除所述阴极结构上的光刻胶，之后对晶圆SAB刻蚀后的区域进行氧化层的去除；步骤五、在所述阳极结构上形成金属硅化物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种改善Efuse均匀性的方法

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