申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司

申请日：2022-08-30

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117711455A

主分类号：G11C11/16

分类号：G11C11/16;H10B61/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明涉及自旋轨道矩磁阻式随机存储器领域，特别是公开了一种SOT‑MRAM存储单元及其读取、写入方法，包括MTJ组件、设置于所述MTJ组件的底端的自旋轨道效应层及沿位线方向依次设置的第一写入晶体管、第二写入晶体管及读取晶体管；所述读取晶体管与所述第二写入晶体管串联，且所述读取晶体管的源极与所述源线相连，所述读取晶体管的漏极分别与所述第二写入晶体管的源极及MTJ组件的顶端相连；所述第二写入晶体管的漏极与所述自旋轨道效应层的第一端相连；所述第一写入晶体管与串联后的所述读取晶体管及所述第二写入晶体管并联；所述自旋轨道效应层的第二端连接于所述位线。本发明降低了存储单元的占用面积，提高了存储密度。

主权项：1.一种SOT-MRAM存储单元，其特征在于，包括MTJ组件、设置于所述MTJ组件的底端的自旋轨道效应层及沿位线方向依次设置的第一写入晶体管、第二写入晶体管及读取晶体管；所述读取晶体管与所述第二写入晶体管串联，且所述读取晶体管的源极与所述源线相连，所述读取晶体管的漏极分别与所述第二写入晶体管的源极及MTJ组件的顶端相连；所述第二写入晶体管的漏极与所述自旋轨道效应层的第一端相连；所述第一写入晶体管与串联后的所述读取晶体管及所述第二写入晶体管并联；所述自旋轨道效应层的第二端连接于所述位线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 一种SOT-MRAM存储单元及其读取、写入方法

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