申请/专利权人：上海磁宇信息科技有限公司

申请日：2018-09-07

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN110890458B

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/10;H10N50/01;G11C11/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.04.10#实质审查的生效;2020.03.17#公开

摘要：本发明公开了一种提高磁性随机存储器写入效率的方法，磁性随机存储器包括控制电路和存储单元阵列，每个存储单元由磁性隧道结和NMOS场效应管组成，存储单元通过字线、磁性位线以及源线与控制电路连接。磁性位线产生一个额外的自旋扭矩效应，由于磁性隧道结的记忆层磁矩垂直于薄膜表面方向，该自旋扭矩在初始状态下就处于最大值，而不会像参考层所提供的自旋扭矩效应那样需要经过一个正反馈的逐渐放大过程。这个额外的自旋扭矩由记忆层顶部的磁性位线提供，可以加速记忆层磁矩的翻转，降低写操作所消耗的能量，提高芯片写操作的效率。

主权项：1.一种提高磁性随机存储器写入效率的方法，其特征在于，所述磁性随机存储器包括控制电路和存储单元阵列，所述存储单元由磁性隧道结和NMOS场效应管组成，所述存储单元通过字线、面内磁化的磁性位线以及源线与所述控制电路连接；所述磁性位线包含磁性层和导电金属层，所述磁性层的磁化方向指向磁性位线所在平面的面内，平行于磁性位线的走线方向，并且垂直于所述磁性隧道结中的记忆层的磁矩，所述磁性层能提供额外的自旋扭矩以加速所述记忆层的磁矩的翻转；所述磁性随机存储器的制作方法至少包括如下步骤：步骤一、在基底上制作所述磁性隧道结；步骤二、在所述磁性隧道结周围沉积保护层；步骤三、在所述保护层上填充电介质层；步骤四、在所述电介质层中刻蚀产生位线线槽；步骤五、在所述位线线槽内填充永久磁化材料，制作所述磁性层；步骤六、在所述位线线槽内填充导电金属；步骤七、磨平所述导电金属的表面，所述磁性位线制作完成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海磁宇信息科技有限公司 一种提高磁性随机存储器写入效率的方法

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