申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司

申请日：2019-12-04

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN111613635B

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/10;H10N50/20

优先权：["20190222 US 16/283,625"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2020.09.25#实质审查的生效;2020.09.01#公开

摘要：本发明题为“垂直自旋转移矩MRAM存储器单元”。本发明公开了一种垂直自旋转移矩MRAM存储器单元，其包括磁隧道结，该磁隧道结包括自由层、钉扎层以及自由层和钉扎层之间的隧道势垒。自由层包括垂直于自由层的平面的可切换磁化方向。邻近磁隧道结提供覆盖层。增加覆盖层的厚度，使得覆盖层用作加热层，这导致写入期间电流密度降低并增加了写入裕量。在一些实施方案中，电阻加热层被添加至存储器单元、邻近覆盖层，以实现较低的电流密度和增加的写入裕量，同时还通过消除散粒噪声来改善读取期间的信噪比。

主权项：1.一种装置，包括：磁隧道结，所述磁隧道结包括：固定层，所述固定层具有垂直于所述固定层的平面的固定磁化方向；自由层，所述自由层具有能够切换且垂直于所述自由层的平面的磁化方向；和所述固定层与所述自由层之间的隧道势垒；邻近所述磁隧道结的覆盖层，所述覆盖层包括使得所述覆盖层贡献存储器单元的总电阻面积乘积的20％-50％的厚度，所述覆盖层配置为在传导电流的同时加热所述磁隧道结以降低所述磁隧道结中的电流密度，所述自由层配置为响应于所述电流和所述加热，将所述自由层的磁化方向从垂直于所述自由层的平面的第一方向切换为垂直于所述自由层的所述平面的第二方向；以及电阻加热层，所述电阻加热层与所述覆盖层分离且邻近所述覆盖层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 垂直自旋转移矩MRAM存储器单元

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