申请/专利权人：国际商业机器公司

申请日：2022-08-24

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117898042A

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00

优先权：["20210901 US 17/464,076"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：一种存储器器件，所述存储器器件包括定位在电极55上的磁阻随机存取存储器MRAM堆叠50、与所述电极接触的金属线60、以及邻接所述MRAM堆叠的侧壁间隔体47。该存储器器件还包括台阶形穿通导体43，该台阶形穿通导体具有位于定位在侧壁间隔体与金属线之间的底切区域中的台阶形穿通导体的第一高度部分、以及具有比第一高度部分更大的高度尺寸并邻接侧壁间隔体的外侧壁的第二高度部分。

主权项：1.一种存储器器件，包括：定位在电极上的磁性随机存取存储器MRAM堆叠；与所述电极接触的金属线；邻接所述MRAM堆叠的侧壁间隔体；以及台阶形穿通导体，其具有在位于所述侧壁间隔体与所述金属线之间的底切区域中的所述台阶形穿通导体的第一高度部分，以及具有比所述第一高度部分更大的高度尺寸并邻接所述侧壁间隔体的外侧壁的第二高度部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国际商业机器公司 高度减小的MRAM堆叠

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