申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117809705A

主分类号：G11C11/16

分类号：G11C11/16;G11C8/08;G11C7/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供一种SOT‑MRAM单元、存储器及其写入方法。所述SOT‑MRAM单元包括：一条自旋轨道矩提供线；第一MOS晶体管，第一MOS晶体管的栅极与写字线连接，自旋轨道矩提供线的一端通过第一MOS晶体管连接至源线，自旋轨道矩提供线的另一端连接至第一位线；位于自旋轨道矩提供线上的多个存储位元，每个存储位元均包括磁性隧道结、第二MOS晶体管和逻辑电路，各第二MOS晶体管的栅极分别对应连接至各所述逻辑电路的输出端，各第二MOS晶体管的源极分别连接至不同的第二位线，各第二MOS晶体管的漏极分别连接至不同的磁性隧道结，各逻辑电路用于根据各自对应的磁性隧道结的短路状态值和各条读字线的值产生不同的写使能信号。

主权项：1.一种SOT-MRAM单元，其特征在于，包括：一条自旋轨道矩提供线；第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的栅极与写字线连接，所述自旋轨道矩提供线的一端通过所述第一MOS晶体管连接至源线，所述自旋轨道矩提供线的另一端连接至第一位线；位于所述自旋轨道矩提供线上的多个存储位元，每个所述存储位元均包括磁性隧道结和第二MOS晶体管，各所述第二MOS晶体管的栅极分别连接至不同的读字线，各所述第二MOS晶体管的源极分别连接至不同的第二位线，各所述第二MOS晶体管的漏极分别连接至不同的所述磁性隧道结。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 SOT-MRAM单元、存储器及其写入方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD