申请/专利权人：西部数据技术公司

申请日：2022-05-06

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795598A

主分类号：G11B5/31

分类号：G11B5/31;H10N50/85;H10N50/10;G11B5/39

优先权：["20210813 US 17/401,856"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本公开一般涉及自旋轨道矩SOT磁性隧道结MTJ器件，其包括缓冲层、设置在缓冲层上的具有012取向的铋锑BiSb层、以及设置在BiSb层上的夹层。缓冲层和夹层可以各自独立地为单层材料或多层材料。缓冲层和夹层各自包括共价键合的非晶材料、四方001材料、四方110材料、体心立方bcc100材料、面心立方fcc100材料、织构化bcc100材料、织构化fcc100材料、织构化100材料或非晶金属材料中的至少一种。缓冲层和夹层抑制锑Sb在BiSb层内的迁移并提高BiSb层的均匀性，同时进一步促进BiSb层的012取向。

主权项：1.一种自旋轨道矩SOT磁隧道结MTJ器件，包括：衬底；形成在所述衬底上方的缓冲层，所述缓冲层包括：非晶层，所述非晶层包括处于非晶结构的材料，其中，所述材料包括共价键合的碳化物、共价键合的氧化物或共价键合的氮化物；以及形成在所述缓冲层上方的铋锑BiSb层，所述BiSb层具有012取向，其中，所述缓冲层被配置为减少所述BiSb层中的Sb的迁移。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西部数据技术公司 促进SOT和MRAM器件的BiSbx（012）合金取向的缓冲层和夹层

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD