申请/专利权人：西部数据技术公司

申请日：2022-05-06

公开（公告）日：2024-03-05

公开（公告）号：CN117652232A

主分类号：H10N52/85

分类号：H10N52/85;H10B61/00;H10N52/01;H10N52/80

优先权：["20210818 US 17/405,954"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：本公开一般涉及包括拓扑绝缘体TI调制层的自旋轨道转矩SOT磁隧道结MTJ器件。TI调制层包括多个铋或富含铋的组分调制层、包括具有012晶体取向的BiSb的多个TI薄片层、以及多个织构化层。TI薄片层包含掺杂剂或原子簇，该原子簇包含碳化物、氮化物、氧化物或复合陶瓷材料。原子簇被配置为具有小于约400℃的晶界玻璃形成温度。用包含碳化物、氮化物、氧化物或复合陶瓷材料的原子簇掺杂包含具有012晶体取向的BiSb的TI薄片层使得SOTMTJ器件能够在较高温度下操作，同时抑制Sb从TI薄片层的BiSb迁移。

主权项：1.一种自旋轨道转矩SOT磁隧道结MTJ器件，所述SOTMTJ器件包括：拓扑绝缘体TI调制层，所述TI调制层包括：多个铋或富含铋的铋锑BiSb组分调制层，其包含原子百分比为约96％至约100％的铋；多个TI薄片层，其中所述TI薄片层与原子簇共沉积，所述原子簇包含碳化物、氮化物、氧化物或复合陶瓷材料，并且其中所述原子簇被配置为在体熔化温度小于约1400℃的晶界处具有小于约400℃的晶界玻璃形成温度；和多个织构化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西部数据技术公司 SOT和MRAM器件的操作温度升高的BiSbX（012）层

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