申请/专利权人：株式会社堀场STEC

申请日：2023-10-10

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917757A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67

优先权：["20221021 JP 2022-169033"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本发明提供晶片温度控制装置、晶片温度控制方法和存储介质。在通过调整热传递气体的压力来控制晶片的温度的晶片温度控制装置中，能以足够的精度推定晶片温度并将晶片温度控制在目标温度，晶片温度控制装置包括：压力调整器43，调整热传递气体的压力；附近温度传感器5，测定晶片W的附近温度；温度推定观测器10，根据由附近温度传感器5测定的附近温度、以及输入压力调整器43的压力操作量或由压力调整器调整的压力，推定晶片W的温度；以及控制器11，根据设定温度和由温度推定观测器10推定的推定晶片温度，控制压力操作量。

主权项：1.一种晶片温度控制装置，将晶片承载于温度调整后的板，向所述板与所述晶片之间供给热传递气体，控制所述晶片的温度，所述晶片温度控制装置的特征在于，包括：压力调整器，调整所述热传递气体的压力；附近温度传感器，测定所述晶片的附近温度；温度推定观测器，根据由所述附近温度传感器测定的附近温度、以及输入所述压力调整器的压力操作量或由所述压力调整器调整的压力，推定所述晶片的温度；以及控制器，根据所述晶片的设定温度和由所述温度推定观测器推定的推定晶片温度，控制所述压力操作量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社堀场STEC 晶片温度控制装置、晶片温度控制方法和存储介质

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