申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-07-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112002722B

主分类号：H10N52/80

分类号：H10N52/80;H10N50/20;H10N50/10;H10B61/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.12.15#实质审查的生效;2020.11.27#公开

摘要：本发明公开了一种自旋电子器件、SOT‑MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路，所述自旋电子器件包括铁电铁磁异质结构、磁隧道结以及设置在所述铁电铁磁异质结构和所述磁隧道结之间的重金属层；所述铁电铁磁异质结构包括层叠设置的多铁性材料层和铁磁层，所述磁隧道结包括层叠设置的自由层、绝缘层以及参考层，所述重金属层设置在所述铁磁层和所述自由层之间。本发明提供的自旋电子器件、SOT‑MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路，可实现无外场辅助条件下的确定性磁化翻转。

主权项：1.一种自旋电子器件，其特征在于，包括铁电铁磁异质结构、磁隧道结以及设置在所述铁电铁磁异质结构和所述磁隧道结之间的重金属层；所述铁电铁磁异质结构包括层叠设置的多铁性材料层和铁磁层，所述磁隧道结包括层叠设置的自由层、绝缘层以及参考层，所述重金属层设置在所述铁磁层和所述自由层之间；还包括第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极；所述第一电极与所述多铁性材料层连接，所述第二电极与所述参考层连接，所述第三电极与所述重金属层的一端连接，所述第四电极与所述重金属层的另一端连接，所述重金属层的一端和所述重金属层的另一端相对设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 自旋电子器件、SOT-MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路

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