申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国家电网有限公司

申请日：2022-12-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115642148B

主分类号：H01L23/552

分类号：H01L23/552;H10B61/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本发明涉及封装技术领域，公开了一种磁屏蔽装置、磁屏蔽装置的制备方法以及MRAM芯片，所述磁屏蔽装置包括：磁屏蔽片；以及多个微阵列结构，该多个微阵列结构位于所述磁屏蔽片上的边缘区域内，所述多个微阵列结构围成的内部区域与MRAM芯片的尺寸相匹配，用于对所述MRAM芯片进行磁屏蔽，由此，本发明通过一种具有微阵列结构的新型抗磁封装结构来更有效地降低MRAM芯片周围的外部环境磁场。

主权项：1.一种磁屏蔽装置，其特征在于，所述磁屏蔽装置包括：磁屏蔽片；以及多个微阵列结构，该多个微阵列结构位于所述磁屏蔽片上的边缘区域内，所述多个微阵列结构围成的内部区域与MRAM芯片的尺寸相匹配，用于对所述MRAM芯片进行磁屏蔽，所述微阵列结构包括多个阵列单元，其中，所述阵列单元的几何结构为空心结构，以及所述微阵列结构的体积处于预设体积范围内和或所述阵列单元的高宽比处于预设高宽比范围内，在所述阵列单元的几何形状为立方体或圆柱的情况下，所述空心结构包括过孔结构，所述多个微阵列结构通过冲压成型方式形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国家电网有限公司 磁屏蔽装置、磁屏蔽装置的制备方法以及MRAM芯片

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