申请/专利权人：安徽大学

申请日：2024-03-01

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117807021A

主分类号：G06F15/78

分类号：G06F15/78;G11C11/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请涉及一种2T‑2MTJ存算单元和MRAM存内计算电路，其中，该2T‑2MTJ存算单元包括：第一NMOS管和第一磁隧道结，第一磁隧道结的正向端用于连接第一子位线，第一磁隧道结的反向端连接第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极用于连接第一子源线；第二NMOS管和第二磁隧道结，第二磁隧道结的正向端用于连接第二子位线，第一磁隧道结的反向端连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极用于连接第二子源线；其中，第一NMOS管和第二NMOS管的栅极用于连接同一存算字线。该2T‑2MTJ存算单元构成的存算阵列面积较小，能够实现高密度的存内计算。因此，解决了目前的基于静态随机存取存储器的存内计算电路中SRAM‑CIM阵列面积较大，其会阻碍CMOS技术下芯片计算密度提高的问题。

主权项：1.一种2T-2MTJ存算单元，其特征在于，其包括：第一NMOS管和第一磁隧道结，所述第一磁隧道结的正向端用于连接第一子位线，所述第一磁隧道结的反向端连接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极用于连接第一子源线；第二NMOS管和第二磁隧道结，所述第二磁隧道结的正向端用于连接第二子位线，所述第二磁隧道结的反向端连接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极用于连接第二子源线；其中，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极用于连接同一存算字线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽大学 2T-2MTJ存算单元和MRAM存内计算电路

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