申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司

申请日：2022-09-19

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117765995A

主分类号：G11C11/402

分类号：G11C11/402;G11C5/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本申请提供了一种存储位元以及MRAM，该存储位元包括MOS器件、第一底层金属线、第一顶层金属线、MTJ单元和第二底层金属线，其中，第一底层金属线位于MOS器件的一侧，第一底层金属线的一端与MOS器件的漏端电连接，第一顶层金属线于第一底层金属线的远离MOS器件的一侧，第一顶层金属线与第一底层金属线的另一端电连接，MTJ单元位于第一顶层金属线以及MOS器件之间，MTJ单元的第一端与第一顶层金属线电连接，第二底层金属线位于MTJ单元与MOS器件之间，第二底层金属线与MTJ单元的第二端电连接，第二底层金属线与第一底层金属线不连接。本申请避免了因MTJ刻蚀引起的PID效应对MOS器件造成的等离子体损伤。

主权项：1.一种存储位元，其特征在于，包括：MOS器件；第一底层金属线，位于所述MOS器件的一侧，所述第一底层金属线的一端与所述MOS器件的漏端电连接；第一顶层金属线，位于所述第一底层金属线的远离所述MOS器件的一侧，所述第一顶层金属线与所述第一底层金属线的另一端电连接；MTJ单元，位于所述第一顶层金属线以及所述MOS器件之间，所述MTJ单元的第一端与所述第一顶层金属线电连接；第二底层金属线，位于所述MTJ单元与所述MOS器件之间，所述第二底层金属线与所述MTJ单元的第二端电连接，所述第二底层金属线与所述第一底层金属线不连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 存储位元以及MRAM

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD