申请/专利权人：厦门华联半导体科技有限公司

申请日：2023-07-31

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN220830447U

主分类号：H03K17/785

分类号：H03K17/785

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权

摘要：本实用新型公开一种增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构，该光MOS继电器包括外壳以及塑封在外壳中的元件，所述外壳的对应光MOS继电器输出端的外表面上在高压引线脚之间设有若干个内凹结构。本实用新型在器件输出高压侧的外壳上两个内凹结构，增加高压端两引线脚间的爬电距离。

主权项：1.一种增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构，该光MOS继电器包括外壳以及塑封在外壳中的元件，其特征在于：所述外壳的对应光MOS继电器输出端的外表面上在高压引线脚之间沿爬电路径设有若干个内凹结构；所述内凹结构为凹槽，所述外壳由相匹配的上壳体和下壳体组成，所述凹槽由位于上壳体的上槽体和位于下壳体的下槽体组成，上槽体包括相对的两个侧槽壁以及连接两个侧槽壁的连接壁，两个侧槽壁和连接壁皆倾斜设置，两个侧槽壁由上至下逐渐靠近以使上槽体呈上大下小的形状，连接壁由上至下逐渐靠近槽口，下槽体与上槽体上下对称。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门华联半导体科技有限公司 一种增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构

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