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【实用新型】MOS器件的测试系统_常州银河世纪微电子股份有限公司_202321953724.9 

申请/专利权人:常州银河世纪微电子股份有限公司

申请日:2023-07-21

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN220795393U

主分类号:G01R31/26

分类号:G01R31/26

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.16#授权

摘要:本实用新型提供一种MOS器件的测试系统,包括:上位机;电机;数据采集装置,所述数据采集装置与所述上位机相连,所述数据采集装置用于采集所述MOS器件的工作参数和所述电机的输出扭矩并传输至所述上位机;电机驱动装置,所述电机驱动装置与所述数据采集装置和所述上位机相连,所述电机驱动装置用于驱动所述电机运转;电机负载装置,所述电机负载装置与所述数据采集装置、电机和电机驱动装置相连,所述电机负载装置用于调节所述电机的负载阻力大小。本实用新型能够在线实时测量MOS器件的工作参数,从而验证MOS器件在应用场景下的可靠性,以提高产品质量。

主权项:1.一种MOS器件的测试系统,其特征在于,包括:上位机;电机;数据采集装置,所述数据采集装置与所述上位机相连,所述数据采集装置用于采集所述MOS器件的工作参数和所述电机的输出扭矩并传输至所述上位机;电机驱动装置,所述电机驱动装置与所述数据采集装置和所述上位机相连,所述电机驱动装置用于驱动所述电机运转;电机负载装置,所述电机负载装置与所述数据采集装置、电机和电机驱动装置相连,所述电机负载装置用于调节所述电机的负载阻力大小。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 常州银河世纪微电子股份有限公司 MOS器件的测试系统

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