申请/专利权人：中国科学技术大学

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117892692A

主分类号：G06F30/398

分类号：G06F30/398;G06F17/11;G06F111/06;G06F119/08

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本申请涉及一种氧化镓MOS管的建模方法，包括：对所述氧化镓MOS管的电学模型和温度模型进行耦合，得到所述氧化镓MOS管的电热耦合效应模型，所述电学模型包括所述全局表面电势方程、所述沟道电荷方程、所述漏极电流方程和所述端电荷方程，所述温度模型包括所述稳态温度方程和所述瞬态温度方程。该电热耦合效应模型是与氧化镓MOS管的工作原理紧密相关的，能够更加准确地描述氧化镓MOS管的工作特性，其可以用于氧化镓MOS管及其相关电路的电热协同优化。因此，解决了现有的β‑Ga2O3MOSFET电热耦合效应模型，难以用于β‑Ga2O3MOSFET器件及其相关电路的电热协同优化的问题。

主权项：1.一种氧化镓MOS管的建模方法，用于建立所述氧化镓MOS管的电学模型、温度模型和电热耦合效应模型，其特征在于，所述建模方法包括：根据所述氧化镓MOS管的泊松方程确定其全局表面电势方程，根据所述全局表面电势方程确定所述氧化镓MOS管的沟道电荷方程，根据所述沟道电荷方程确定所述氧化镓MOS管的漏极电流方程和端电荷方程；将所述氧化镓MOS管的热传导微分方程分别转化为稳态热传导微分方程和瞬态热传导微分方程，对所述稳态热传导微分方程进行求解得到所述氧化镓MOS管的稳态温度方程，对所述瞬态热传导微分方程进行求解并保留二阶级数得到所述氧化镓MOS管的瞬态温度方程；对所述氧化镓MOS管的电学模型和温度模型进行耦合，得到所述氧化镓MOS管的电热耦合效应模型，所述电学模型包括所述全局表面电势方程、所述沟道电荷方程、所述漏极电流方程和所述端电荷方程，所述温度模型包括所述稳态温度方程和所述瞬态温度方程。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学技术大学 氧化镓MOS管的建模方法

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