申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-09-17

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113903668B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.01.25#实质审查的生效;2022.01.07#公开

摘要：本申请公开了一种沟槽型MOS器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该沟槽型MOS器件的制作方法包括：形成沟槽栅结构，进行阱区离子注入，在高温炉管中进行推阱，且在推阱过程中向高温炉管中通入二氯乙烷和氧气，在沟槽栅结构外侧形成源极；解决了目前沟槽型MOS器件中多晶硅栅容易出现缺陷的问题；达到了改善沟槽型MOS器件的饱和源漏电流性能的效果。

主权项：1.一种沟槽型MOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：形成沟槽栅结构；进行阱区离子注入；在高温炉管中进行推阱，且在推阱过程中向所述高温炉管中通入二氯乙烷和氧气，以在所述沟槽栅结构的多晶硅表面形成一层二氧化硅；在所述沟槽栅结构外侧形成源极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 沟槽型MOS器件的制作方法

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