申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司

申请日：2022-10-12

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117912511A

主分类号：G11C11/16

分类号：G11C11/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明提供一种MRAM写操作温度补偿电路，包括：线性斜率可调温漂基准电路，产生随温度线性变化的第一参考电压，第一参考电压随温度线性变化的斜率可配置；带隙基准电路，产生恒定的第二参考电压；数据选择器，具有两个输入接口，两个输入接口分别与线性斜率可调温漂基准电路和带隙基准电路进行电连接；温度检测电路，与数据选择器的使能接口电连接，温度检测电路对环境温度进行检测，并依据检测结果向数据选择器输出使能信号，以控制数据选择器对第一参考电压和第二参考电压进行选择。本发明提供的MRAM写操作温度补偿电路，能够在不同温度下提供不同温度特性的参考电压，使参考电压更符合对应温度的需求，有利于提高存储器寿命。

主权项：1.一种MRAM写操作温度补偿电路，其特征在于，包括：线性斜率可调温漂基准电路，用于产生随温度线性变化的第一参考电压，所述第一参考电压随温度线性变化的斜率可配置；带隙基准电路，用于产生恒定的第二参考电压；数据选择器，具有两个输入接口，所述两个输入接口分别与所述线性斜率可调温漂基准电路和带隙基准电路进行电连接，以对所述第一参考电压和第二参考电压进行选择；温度检测电路，与所述数据选择器的使能接口电连接，所述温度检测电路用于对环境温度进行检测，并依据所述检测结果向所述数据选择器输出使能信号，以控制所述数据选择器对第一参考电压和第二参考电压进行选择。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 MRAM写操作温度补偿电路

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