申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-06-04

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112133704B

主分类号：H10B41/20

分类号：H10B41/20;H10B41/27;H10B43/20;H10B43/27

优先权：["20190624 US 16/449,912"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.01.12#实质审查的生效;2020.12.25#公开

摘要：本申请案涉及存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括导体层次的衬底，所述导体层次包括上部导体材料、下部金属材料及垂直地位于所述上部导体材料与所述下部金属材料之间的介入金属材料。所述介入金属材料、所述上部导体材料及所述下部金属材料为相对彼此不同的组成。所述介入金属材料的还原电位与所述上部导体材料的还原电位偏离不到0.7V。在所述导体层次上面形成包括垂直交替的绝缘层次与导电层次的堆叠。穿过所述绝缘层次及所述导电层次形成沟道材料。穿过所述堆叠形成水平伸长的沟槽直到所述导体层次。在所述堆叠中形成存储器单元的竖向延伸的串。

主权项：1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：形成包括导体层次的衬底，所述导体层次包括上部导体材料、下部金属材料及垂直地位于所述上部导体材料与所述下部金属材料之间的介入金属材料；所述介入金属材料、所述上部导体材料及所述下部金属材料为相对彼此不同的组成；所述介入金属材料的还原电位与所述上部导体材料的还原电位偏离不到0.7V；在所述导体层次上面形成包括垂直交替的绝缘层次与导电层次的堆叠；穿过所述堆叠形成水平伸长的沟槽直到所述导体层次；及在所述堆叠中形成存储器单元的竖向延伸的串；所述存储器单元中的个别者包括延伸穿过所述绝缘层次及所述导电层次的沟道材料、为所述导电层次中的个别者中的导电线的一部分的栅极区域及横向地位于所述导电层次中的所述个别者中的所述栅极区域与所述沟道材料之间的存储器结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法

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