申请/专利权人：上海和辉光电股份有限公司

申请日：2023-09-14

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN220829962U

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H10K59/121;H10K59/131

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权

摘要：本实用新型实施例公开了一种阵列基板和显示装置，该阵列基板包括：衬底以及在衬底一侧的至少一个多晶硅薄膜晶体管和至少一个氧化物薄膜晶体管；多晶硅薄膜晶体管包括第一源极和第一漏极；至少一个多晶硅薄膜晶体管的第一源极和第一漏极不同层；氧化物薄膜晶体管包括第二源极和第二漏极；至少一个多晶硅薄膜晶体管的第一电极与至少一个氧化物薄膜晶体管的第二电极同层且电连接，其中，第一电极包括第一源极或第一漏极，第二电极包括第二源极或第二漏极。本实用新型实施例可以减少阵列基板的膜层结构，优化膜层的布局结构。

主权项：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底以及在所述衬底一侧的至少一个多晶硅薄膜晶体管和至少一个氧化物薄膜晶体管；所述多晶硅薄膜晶体管包括第一源极和第一漏极；至少一个所述多晶硅薄膜晶体管的第一源极和所述第一漏极不同层；所述氧化物薄膜晶体管包括第二源极和第二漏极；至少一个所述多晶硅薄膜晶体管的第一电极与至少一个所述氧化物薄膜晶体管的第二电极同层且电连接，其中，所述第一电极包括第一源极或第一漏极，第二电极包括第二源极或第二漏极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海和辉光电股份有限公司 一种阵列基板和显示装置

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