申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2022-10-19

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917926A

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/27;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本申请提供了一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高存储器的读取写入的效率。该存储阵列可以为二维存储阵列，还可以为三维存储阵列。存储阵列包括存储堆叠结构和沟道结构，存储堆叠结构包括交替设置的多个第一介质层和多个栅极层。沟道结构贯穿存储堆叠结构，沟道结构包括沟道层，及依次围绕在沟道层外侧的中间介质层和存储功能叠层，沟道层与中间介质层的表面相接触。其中，沟道层的材料包括半导体型碳纳米管。该存储阵列可以应用于NAND闪存，以实现对数据的读取和写入。

主权项：1.一种存储阵列，其特征在于，包括：存储堆叠结构，包括交替设置的多个第一介质层和多个栅极层；沟道结构，贯穿所述存储堆叠结构；所述沟道结构包括沟道层，及依次围绕在所述沟道层外侧的中间介质层和存储功能叠层，所述沟道层与所述中间介质层的表面相接触；其中，所述沟道层的材料包括半导体型碳纳米管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备

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